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翻译样例: SU-8 光刻胶制作三维光子晶体
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光子晶体的概念首先提出于1987 年,由美国贝尔通讯研究中心的Yablonovitch[1]和普林斯顿大学物理系的John[2] 分别独立地提出的。光子晶体是一类介电常数呈周期分布的人工结构材料,当电磁波在其中传播时,受到多重散射,散射波之间的干涉作用使光子晶体具有类似于固体晶体的能带结构,在带与带之间存在带隙。自从光子晶体的概念提出之后,对光电子学的理论和应用产生了巨大的影响。而光子晶体制作技术是光子晶体走向实际应用的关键环节,也是光子晶体研究领域的重点和难点。尤其是制作近红外和可见光波段的三维光子晶体还有很大的困难,而其在光通讯等领域具有重要的应用价值,使得三维光子晶体的制作成为众多科技人员孜孜不倦追求的目标。1990 年,美国的何启明等人所在的小组首次成功地预言了一种具有金刚石结构的三维光子晶体中存在完全带隙结构[3]。1991 年Yablonovitch[4] 采用人工机械钻孔的方法在一块高介电材料上制作出第一块面心立方晶体结构的三维光子晶体,经测量发现确实在微波范围内存在一个宽的光子带隙。

本文采用SU-8 光刻胶结合干涉光刻技术制作近红外波段三维光子晶体结构,具有制作成本低、制作结构多样化、易引入所需缺陷等优点。但实验中发现将商业化SU-8 光刻胶应用于三维光子晶体结构的制作时有如下问题:当采用355nm 激光波长曝光,光波穿过厚度为30μm SU-8 胶膜层,光强衰减10%,具有不可忽略的吸收,由于材料的吸收性导致膜层顶部和底部曝光不均匀,直接影响制作结构的均匀性和填充比。同时,膜层在后烘过程中明显缩胶,缩胶量大约为15%~20%,导致实验重复性差、难以控制等问题。

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