取开链端点修正参数获得的开链情形下的基态晶格位形和电子能级结构如图所示，由图中可见晶格位形与周期性边界条件下的情形（图1，图,）基本相当，并且能隙中未出现因端点效应导致的缺陷能级，端点无塌缩，说明端点修正参数选取合理.化合物由于G*3*;CE 不稳定性，在如电场、激光等外界作用下，价带顶的一个电子易被激发到导带底，形成电子空穴对# 因电子与空穴之间的库仑吸引作用，此电子空穴对处于束缚状态而成为激子.根据上述理论，通过数值模拟得出了激子的几何结构、电子能级结构、电荷密度分布和光吸收峰!

激子的几何结构和电荷密度分布如图所示，从图中不难看出在一维链上有一晶格畸变区域，这表明电子空穴引起链上晶格结构的局域畸变，而引起晶格改变的电子空穴本身又落进这局域畸变势场中，成为电子空穴的自陷束缚态，这就是激子!

基于MM模型，对准一维化合物的开链稳定性和激子的几何结构、电子态、光吸收进行了数值研究! 结果表明：

开链端点自由边界条件下，端点修正参数!"选取"C ’时，所得基态解的晶格位形和电子能级结构均与周期性边界条件下的解相当，端点无塌缩，能隙中不出现缺陷能级!

化合物激子大小约为". 个格点宽度，系长程激子；激子能级在电子在这两能级间的跃迁导致附近的吸收峰，由此认为K4L4 等最近在实验上观察到的新的吸收峰是激子吸收!

化合物的开链稳定性进行讨论，求取自由边界条件下的开链参数*