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翻译样例: LD泵浦SESAM锁模腔倒空激光器的研究
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随着半导体激光器的广泛应用,半导体激光泵浦的固体激光器得到了较大的发展。与传统的灯泵浦相比较,半导体激光泵浦具有以下优点:效率高,对电源功率要求低;能耗较低,需要的冷却较少;机械震动小;寿命长(5000小时—10000小时);易于操作和维护;有更为稳定的激光辐射;重量轻,体积小。利用半导体激光器作为泵浦源,可以做成全固化,体积小,效率高,成本低,稳定可靠,实用性强的超短脉冲激光器。

由于半导体可饱和吸收体一般是用外延法生长在半导体基板上的,基板的晶格常数与要生长的半导体化合物的晶格常数原则上应该相同。晶格常数可以由X-射线衍射法测得,精确度可达±0.0001nm,组分的配比可由X-射线荧光法测得,精确度也可达±0.005。表2-1列出了几种常见的半导体基片的晶格常数及禁带宽度。由表可见,GaAs与AlAs的晶格常数基本上是匹配的。由于它们的折射率不同,常用这两种晶体交叉生长而形成所谓布拉格反射镜。

如前所述,改变三元化合物半导体中某两种组分的配比可以改变其能带宽度。但这个改变不是任意的,要受衬底晶格常数的制约。实际上可供选择的与衬底的晶格常数相同的配比并不多。晶格常数与衬底有一定差别也可能生长在衬底上。例如三元化合物半导体InxGa1-xAs可以生长在GaAs上。由于晶格常数不一致,会在生长层上造成一定应变(strain),应变可分为压缩型和扩张型,无论那种类型的应变都会影响禁带宽度。另外,在存在应变的情况下,InxGa1-xAs吸收层的厚度有一个限制,即所谓临界厚度。超过了这个厚度,缺陷和位错就会产生,从而增加非饱和吸收损耗,这个厚度与铟的配比有关。

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