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翻译样例: 硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响
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金刚石具有许多独特的优良性质在电学上, 它具有很宽的禁带, 很高的载流子迁移率和饱和速度, 同时具有很高的击穿电压等人曾经测得霍尔空穴迁移率为“ ,等人测量单晶金刚石一结的低场漂移迁移率, 分别得到了室温电子迁移率, 空穴迁移率“ 由于金刚石的这些杰出的性质, 人们期望着金刚石在电子器件, 如功率二极管和高频场效应晶体管等, 能够具有突出的表现,由于金刚石的禁带很宽, 对应的发光峰位于紫外光频段, 而且对可见光透明, 它在光电子设备方面也具有潜在的应用价值近来, 等人同报道了金刚石一结的紫外发光性质, 发现金刚石一结表现出良好的二极管特性, 并且在的前置偏压下观测到很强的紫外发光尽管在电子学应用方面的研究取得很大的进展, 但是仍有一些困难需要克服, 如金刚石的掺杂, 高质量的异质外延单晶薄膜, 以及材料生长的重复性等为了更好地控制金刚石薄膜的重复性生长, 位等人’ 曾详细研究了几种实验参数, 如衬底温度, 甲烷、氮气在混合气中的比率等对薄膜形貌的影响, 并对生长参数办。。。。工, , 其中, 。, 为晶面的生长速率, 。。。为晶面的生长速率进行了定量的研究, 得到了很有益的结果由于在电子学应用中, 金刚石的掺杂是必需的,同时其掺杂薄膜的重复性生长更加重要, 因此有必要研究掺杂对参数的影响为此本文通过研究硼的掺杂对金刚石薄膜的晶粒和表面形貌的影响, 并结合。一光谱对样品的表征, 研究硼掺杂对金刚石薄膜生长参数的影响规律

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