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翻译样例: 自组织生长InAs 量子点的发光性质研究
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量子点中载流子在三个维度方向上都受到限制,其态密度具有δ2函数形式,这种随空间限制维数增加而显著增强的量子限制效应使得量子点具有独特的物理性质和广阔的应用价值. 理论预计以量子点为有源区的激光器具有很高的特征温度和极低的阈值电流[1 ] ,因此量子点的研究成为近十几年来半导体学科的一个研究热点,其中研究较多的是利用自组织生长的In ( Ga) As/ GaAs 量子点体系,在优化生长质量、控制发光波长以及提高发光效率等方面,人们已经作了许多卓有成效的探索和尝试研究自组织生长量子点激子复合寿命,可以获得影响量子点激子动力学的一些基本物理机制[3 ,4 ] ,为低维光电子器件的研制提供物理基础. 本文利用变温(13~200 K) 光致发光谱(PL) 、瞬态荧光谱(TRPL) 研究了具有不同InGaAs 覆盖层的自组织生长InAs 量子点的发光及激子的温度特性,对实验中观察到的现象予以解释由于量子点具有δ2函数的态密度,理论上预测量子点的辐射寿命应与温度无关. 但是,在点密度较高的量子点样品中,由于存在波函数耦合,产生空间接近的能级,因此,激子的寿命的温度特性将与量子阱的相似. Tsuyoshi Okuno 等[4 ]进一步认为,若量子点的晶格限制比高度限制小(即量子点的底边大于其高度) ,则无法确定此自组织量子点系统为零维或二维结构,它可能具有介于零维和二维之间的特性在目前的晶体生长工艺条件下,自组织生长量子点一般都具有这种尺寸特性

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