程序设计

 翻译样例中心 >> 电信翻译样例 >> 程序设计

翻译样例: kx2自编程介绍及操作流程
版权信息   版权信息

自编程就是用户进行的flash 存储器写操作。Block 号,是进行擦写和非空检查操作的单元。入口ram,是flash 存储器自编程样例库所使用的RAM 区域。用户程序需要保留着块区域,当调用库时,需要指定这片区域的起始地址。内部验证,再写入到flash 存储器后,信号电平会内部检查,确认读到正确的数据。内部验证错误时,对应的设备被认为有错。表 1-1 的情况是内部高速振荡器用作主系统时钟,表1-2 的情况是外部系统时钟用于主系统时钟。

当执行自编程样例库时,有函数可以检查是否有中断产生,还有函数可以进行中断后的处理。FLMD0 推荐10K 电阻接地。正常操作模式下,FLMD0 应该为低,flash 重写模式下,自编程时拉高。自编程样例库将自己的程序放在用户区域,需要500 字节左右的程序空间(正常模式525字节,静态模式432 字节,在0000h~7FFFh 中,因为产品的内置固件位于8000h 开始的区间内),还需要占用CPU(寄存器Bank3),工作区域(入口RAM100 字节,高速RAM 中的短寻址或者短直接寻址范围之外,首地址FE20h),堆栈(最大39 字节)和数据缓冲区1~256 字节。(stack 和data buffer 在高速RAM 中,不能占用FE20h~FE83h 之间)。

使用的堆栈是用户程序自己指定的。堆栈必须有自编程操作的堆栈过程来分配,这样入口RAM 和RAM 不会被清除,所以在内部高速RAM 区间但不能位于FE20h~FE83h 之间。数据缓冲器根据指定的写入字节数量从首地址自动分配。数据缓冲器的首地址和堆栈情况一样。要写入到flash 存储器的数据要在字写入库调用之前正确设置和处理。

收稿邮箱: sotrans@126.com
QQ: 1169561052    MSN: jesczhao@hotmail. com

最新翻译样例

相关翻译样例

专业英语词汇频道