半导体物理

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翻译样例: 慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模拟
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慢正电子束是入射能量为1 -一 AuA keV 的正电子束,一般将正电子注入各种慢化体材料,然后以热正电子的形式从其表面逸出,通过加上适当的加速电压和方向的控制,得到能量可调的慢正电子束.在最近10多年中,正电子湮没寿命谱(PAS)、湮没辐射角关联谱(ACAR)已经在各种材料中得到了广泛的应用.同时与慢正电子束有关的技术和设备也开始出现,如:低能正电子衍射谱(LEPD)、正电子诱发俄歇电子谱(PIAES)和正电子再发射显微镜等.它们继承了正电子无损探测和高灵敏度的优点,使正电子成为研究材料表面/近表面形貌结构特征和缺陷状况的有力武器,可以给出各种不同材料中点缺陷的深度分布及其特征的有用信息,同时这些技术的发展也提出了对正电子在固体中的行为进行细致理论描述的要求[1].而了解不同能量的正电子在固体中的深度分布信息,是以上实验工作的基础,但是慢正电子注入各种材料的分布的实验数据主要是通过测量慢正电子注入不同厚度的薄膜材料所对应的背散射率和透射率,来得到慢正电子在材料中的大致分布.由于不同厚度的薄膜不容易制备,目前人们只对几种金属的正电子注入分布进行了实验研究口。].

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