半导体物理

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翻译样例: 量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性
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随着材料生产技术的发展以及半导体量子阱和超晶格在实验上的实现,超晶格和异质结的研究日益为各国更多的物理学家所注意. 该研究不仅具有理论上的意义,而且在实验上和高技术产业方面也发挥着不可估量的作用. 极性膜和量子阱是超晶格和异质结的最基本单元,因而,深入研究极性膜和量子阱中电子态的性质至关重要在量子阱的研究中,Morri 等人[1]和Liang 等人[2]分别各自独立的导出了量子阱中晶格振动的光学极化模以及电子与光学声子相互作用的哈密顿量. 他们发现,在量子阱结构中,除了众所周知的束缚体纵光学(Longitudinal Optical,LO)声子模外,还存在4 支界面光学( Interface Optical,IO)声子模,这些模的本征矢和电子-声子耦合函数被局域在量子阱的界面附近,并且对极化子的性质产生影响由于极性膜和量子阱中的极化子问题要比体材料复杂得多,所以,必须采用近似方法. 多年来,人们采用微扰法[3]、LLP 变分法[4]、Feynman 路径积分法[5]和Green 函数法[6]等多种方法,对极性膜和量子阱中电子的性质进行了广泛的研究. 然而多数工作仅限于讨论电子-声子弱、中耦合情形,并且为了简单起见,大多都假设体系处于零温极限(0K). 它们对Ⅲ-V族化合物材料无疑是正确的

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